30-06-2022
Организатор тендера: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "СИБИРСКАЯ ИНТЕРНЕТ КОМПАНИЯ"
Приобретение радиодеталей_св.лот 283595 (#63513024)
Стать клиентом Регион проведения тендера: БашкортостанОрганизатор тендера: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "СИБИРСКАЯ ИНТЕРНЕТ КОМПАНИЯ"
Полная информация по тендеру закрыта
Полная информация доступна только для подписчиков портала.
Стать подписчиком »
Общие сведения Наименование процедуры: Приобретение радиодеталей_св.лот 283595
| Номер закупки: | 360286 |
| Регион поставки: | Республика Башкортостан |
Сроки проведения
| Дата публикации процедуры: | 29.06.2022 13:46 GMT+3 |
| Дата окончания приема заявок: | 07.07.2022 13:00 GMT+3 |
Условия доставки и оплаты
| Дата поставки: | 01.04.2023 |
| Адрес поставки: | Дюртюлинский р-н, с.Иванаево, ул. Промзона. |
| Условия оплаты и доставки: | Оплата за поставленный Товар осуществляется в течение 60 (шестидесяти), но не ранее 45 (сорока пяти) календарных дней с даты подписания Универсального передаточного документа по форме, определенной в Приложении №2 к договору, при условии своевременного предоставления документов, указанных в п. 5.1 Договора, оформленных в соответствии с требованиями действующего законодательства Российской Федерации. |
Документация по процедуре Скачать документацию по закупке
ТКП2193МЗМБМБ.7z (ТКП2193МЗМБМБ.7z)
29.06.2022 13:32 GMT+3
764.01 Kb
Действующий
Сведения об организаторе
| Наименование организатора: | ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "СИБИРСКАЯ ИНТЕРНЕТ КОМПАНИЯ" |
| Контактный телефон: | 8-347-2144394 |
| Адрес электронной почты: | KhasbievaLV@sibintek.ru |
| ФИО контактного лица: | Хасбиева Людмила Владимировна |
Позиции закупки
| № | Наименование позиции | Ед. изм. | Кол-во | Комментарий | Вложение |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | Конденсатор электролитический JB ECAP К50-35 JNE2G151M10002500300 400В 150мкФ +/-20% -20...+105град.C алюминий 25x30мм | ШТ | 12 | ||
| 2 | Конденсатор электролитический JB JRB1J220M02500630110000B 63В 22мкФ +/-20% -40...+105град.C алюминий 6.3х11мм 0.584г | ШТ | 20 | ||
| 3 | Конденсатор электролитический JB JRB2A010M02000500110000B 50В 1мкФ +/-20% -40...+105град.C алюминий 5х5х11мм 0.44г | ШТ | 20 | ||
| 4 | Резистор толстопленочный Yageo RC1206JR-0710KL 10кОм 0.25Вт +/-5% -55...+155град.С 100млн-1/град.C | ШТ | 100 | ||
| 5 | Резистор толстопленочный Yageo RC1206JR-071K2L 1.2кОм 0.25Вт +/-5% -55...+155град.С 100млн-1/град.C | ШТ | 100 | ||
| 6 | Резистор толстопленочный Yageo RC1206JR-071R2L 1.2Ом 0.25Вт +/-5% -55...+155град.С 100млн-1/град.C | ШТ | 20 | ||
| 7 | Резистор толстопленочный Yageo RC1206JR-07180RL 180 Ом 0.25Вт +/-5% -55...+155град.С 100млн-1/град.C | ШТ | 100 | ||
| 8 | Конденсатор электролитический JB JRB1H220M02000500110000B 50В 20мкФ +/-20% -40...+105град.C алюминий 5х5х11мм 0.44г | ШТ | 20 | ||
| 9 | Конденсатор электролитический JB JRB2G330M05001300200000B 400В 33мкФ +/-20% -25...+105град.C алюминий 13х13х20мм 3.96г | ШТ | 10 | ||
| 10 | Резистор толстопленочный Hottech RI1206L1000FT 100 Ом 0.25Вт +/-5% -55...+155град.С 100млн-1/град.C | ШТ | 10 | ||
| 11 | Резистор углеродистый CF-25 1Ом 0.25Вт +/-5% -55...+125град.С | ШТ | 10 | ||
| 12 | Конденсатор электролитический Hitano ELP221M2GBB 400В 220мкФ +/-20% 85град.C 25х40мм 85г | ШТ | 70 | ||
| 13 | Резистор толстопленочный Yageo RC1206JR-071RL 1Ом 0.25Вт +/-5% -55...+155град.С 100млн-1/град.C | ШТ | 20 | ||
| 14 | Микросхема Texas Instruments TL3843BDR SOIC-8 500кГц 30В 200мА 0...70град.C | ШТ | 4 | ||
| 15 | Микросхема STM UC3843BD1013TR SOIC-8 500кГц 7.6...30В 0...70град.C 0.15г | ШТ | 5 | ||
| 16 | Конденсатор KEMET C1210C106M3RAC 25В 10мкФ +/-20% -55...+125град.C керамика 2.5х3.2мм 0.05г | ШТ | 120 | ||
| 17 | Микроконтроллер Atmel ATmega162-16AU 16кБайт 16МГц EBI/EMI, SPI, UART/USART 2.7...5.5В -40...+85град.C 10х10мм 1.4г | ШТ | 60 | ||
| 18 | Микросхема Texas Instruments UC3845AD8TR SOIC-8 500кГц 7.6...30В 0...70град.C 0.15г | ШТ | 20 | ||
| 19 | Регулятор напряжения ST LD1117S50CTR 0.8А 5/15В -40...+125град.С черный 0.39г | ШТ | 30 | ||
| 20 | Диод Vishay VS-80EBU04 400В 1.13В 500В 800А -55...+175град.С кремний 5.1г | ШТ | 20 | ||
| 21 | Диод Vishay VS-30CPH03PBF 300В 1.25В 300В 15А -65...+175град.С кремний 7.5г | ШТ | 20 | ||
| 22 | Мост диодный Diotec GBU6M 1000В 1000В 6А 158А 5мкА 1В 1шт -50...150град.С 6.6г | ШТ | 50 | ||
| 23 | Конденсатор электролитический JB JRB1H4R7M02000500110000B 20В 4.7мкФ +/-20% -40...+105град.C алюминий 5х5х11мм 0.41г | ШТ | 20 | ||
| 24 | Резистор толстопленочный Yageo RC1206JR-07100KL 100кОм 0.25Вт +/-5% -55...+155град.С 100млн-1/град.C | ШТ | 100 | ||
| 25 | Оптрон (оптопара) Toshiba TLP280-4 4шт 50мА 80В 2500В -55...+100град.С 2.2г | ШТ | 120 | ||
| 26 | Предохранитель FUSE 250В 2A 5х20мм | ШТ | 10 | ||
| 27 | Микросхема SN74AC14D 2...6В -45...+85град.С 0.25г | ШТ | 50 | ||
| 28 | Микросхема интегральная КР142ЕН5Б 7806 1шт 6В 2А -45...+70град.С 2.5г | ШТ | 70 | ||
| 29 | Предохранитель H520 250В 1А -60...+85град.С стекло 5.2х20мм 0.77г | ШТ | 50 | ||
| 30 | Предохранитель FUSE 250В 3.15А -60...+85град.С стекло 5x20мм 0.77г | ШТ | 10 | ||
| 31 | Предохранитель FUSE ZH101 250В 6.3А -55...+125град.С пластик 8х8мм 0.5г | ШТ | 10 | ||
| 32 | Транзистор STP55NF06 50А 60В 110Вт 2.5г | ШТ | 8 | ||
| 33 | Транзистор полевой STP7NK80ZFP 5.2А 800В 30Вт до 150град.С 2г Россия | ШТ | 5 | ||
| 34 | Конденсатор электролитический ECAP 1016 35В 470мкф до 105град.С алюминий | ШТ | 10 | ||
| 35 | Предохранитель FUSE 250В 1А 5х20мм | ШТ | 10 | ||
| 36 | Микросхема TOP227YN TO-220 700В 150Вт -40...+150град.С 2.5г | ШТ | 62 | ||
| 37 | Резистор толстопленочный Yageo RC1206JR-071KL 1кОм 0.25Вт +/-5% -55...+155град.С 100млн-1/град.C | ШТ | 100 | ||
| 38 | Конденсатор электролитический ECAP К50-35 16В 3300мкф до 105град.С алюминий | ШТ | 70 | ||
| 39 | Микросхема интегральная КР140УД1А UA702 1шт 7000мкВ 1.9г ТУ 11-БК0.348.156ТУ-85 | ШТ | 20 | ||
| 40 | Предохранитель FUSE 0.5А 5х20мм | ШТ | 10 | ||
| 41 | Предохранитель ВП1-1 250В 1А -60...+100град.С керамика 15х4мм 0.39г ТУ ОЮО.480.033 ТУ Россия | ШТ | 20 | ||
| 42 | Диод 1N4007 1200В 1А | ШТ | 160 | ||
| 43 | Резистор толстопленочный Yageo RC0805FR-072KL 2кОм 0.125Вт +/-1% -55...+155град.С 100млн-1/град.C | ШТ | 20 | ||
| 44 | Микросхема NXP P82B96TD.118 SOIC-8 400кГц 0.25г | ШТ | 20 | ||
| 45 | Микросхема Texas Instruments TL3844BP DIP8300 500кГц 30В 200мА 0...70град.C | ШТ | 90 | ||
| 46 | Резистор толстопленочный Hottech RI1206L1001FT 1кОм 0.25Вт +/-1% -55...+125град.С 100млн-1/град.C | ШТ | 10 | ||
| 47 | Резистор толстопленочный Yageo RC1206JR-0720KL 1кОм 0.25Вт +/-1% -55...+125град.С 100млн-1/град.C | ШТ | 100 | ||
| 48 | Микросхема TOP256YN 700В 119Вт -40...+150град.С | ШТ | 20 | ||
| 49 | Микроконтроллер Atmel ATmega328P-AU 32кбайт 1.8...5.5В -40...+85град.С 1.2г | ШТ | 25 | ||
| 50 | Конденсатор электролитический Ecap К50-35 25В 220мкФ 105C 11.5мм 8мм -40...+105град.С алюминий | ШТ | 100 | ||
| 51 | Программатор режимов САПО.426441.031 15мА 80х80х20мм. 80г | ШТ | 1 | ||
| 52 | Конденсатор электролитический Ecap К50-35 63В 100мкФ 12мм 8мм -40...+105град.С алюминий | ШТ | 20 | ||
| 53 | Конденсатор электролитический Ecap К50-35 16В 470мкФ -40...+105град.С алюминий | ШТ | 130 | ||
| 54 | Резистор проволочный Yageo KNP-200 2Вт 0.47Ом 5% 1.2г | ШТ | 20 | ||
| 55 | Резистор углеродистый MO-200 1.1Ом 5% -55...+155град.С | ШТ | 20 | ||
| 56 | Резистор MO-200 2Вт 1.2Ом 5% | ШТ | 20 | ||
| 57 | Резистор Yageo KNP-200 2Вт 0.1Ом 5% | ШТ | 20 | ||
| 58 | Резистор Yageo KNP-200 2Вт 0.22Ом 5% | ШТ | 20 | ||
| 59 | Резистор CF-100 1Вт 1.5Ом 5% | ШТ | 20 | ||
| 60 | Оптрон (оптопара) с выходом на триггере Шмитта On Semiconductor H11L1SR2M 50мА -40…+85гград.С 0.8г | ШТ | 30 | ||
| 61 | Микросхема Microchip Technology MCP602-I/SN универсальный 2.7...6В -40…+85град.С 0.24г | ШТ | 20 | ||
| 62 | Конденсатор электролитический Ecap К50-35 25В 10мкФ -40...+105град.С алюминий | ШТ | 20 | ||
| 63 | Транзистор Toshiba Semiconductor 2SK2611 9А 900В 150Вт 4.94г | ШТ | 40 | ||
| 64 | Варистор B72220-S 461-K101 S20K460 460...615В -40…+85град.С 8г | ШТ | 80 | ||
| 65 | Микросхема ON Semiconductor UC3842BN 275 кГц 10...30В 0.91г | ШТ | 30 | ||
| 66 | Микросхема ON Semiconductor UC3845BN 275 кГц 7.6...30В 1.3г | ШТ | 140 | ||
| 67 | Транзистор КП 103Е-1 10В 0.007Вт 0.3г | ШТ | 30 | ||
| 68 | Конденсатор электролитический ECAP К50-35 25В 820мкф до 105град.С алюминий | ШТ | 50 | ||
| 69 | Микроконтроллер Atmel ATmega128L-8AU 128кбайт -40...+85град.С 2.3г | ШТ | 10 | ||
| 70 | Транзистор BC817-40 SOT23 0.5А 45В 0.25Вт 0.05г | ШТ | 50 | ||
| 71 | Конденсатор электролитический ECAP 1019 25В 680мкф до 105град.С алюминий | ШТ | 20 | ||
| 72 | Микровыключатель МП11 50х60мм 2.7кг ТУ 3428-006-03964945-01 | ШТ | 43 | ||
| 73 | Стабилитрон BZX84-C5V6 0,2Вт 4.8...5.3В 5мА smd -55...+150град.С sot23 0.05г Россия | ШТ | 5 | ||
| 74 | Колодка клеммная PA12-6A-6mm U-type 400В 6мм2 12шт белая нейлон 11.5х125х14мм | ШТ | 20 | ||
| 75 | Оптрон (оптопара) Toshiba TLP281-4 1шт 50мА 80В 2500В -55...+100град.С 0.45г | ШТ | 20 | ||
| 76 | Конденсатор Murata GRM32DR71E106K 25В 10мкФ -55...+125град.С керамика | ШТ | 20 | ||
| 77 | Преобразователь Micrel MIC4680YM 4В 34В 1.3A -40...+125град.С 0.8г | ШТ | 10 | ||
| 78 | Преобразователь Aimtec AM1L-1212S-NZ 10.8...13.2В 12В 1000В 84мА -40...+85град.С 1.9г | ШТ | 50 | ||
| 79 | Транзистор ST Microelectronics STW12NK90Z 900В 230Вт 7.5г | ШТ | 2 | ||
| 80 | Преобразователь Peak P6AU-0505ELF 1Вт -40...+85град.С 11.7x6x10.2мм 1.85г | ШТ | 21 | ||
| 81 | Преобразователь напряжения DC/DC Recom RK-0512S 5В 12В 1Вт -40...+90град.С 7.05х10.02мм | ШТ | 6 | ||
| 82 | Преобразователь напряжения DC/DC Recom RK-0515S 4.5...5.5В 1Вт 19.65x6x10.2мм 2.6кг | ШТ | 6 | ||
| 83 | Чип конденсатор Murata GRM31BR72J103KW01L 360В -55...+125град.С 3.2х1.6х1.25мм | ШТ | 10 | ||
| 84 | Конденсатор Murata GRM43DR61E106K 25В 10мкФ -55...+85град.С керамика 4.5х3.2х2мм | ШТ | 10 | ||
| 85 | Микроконтроллер ST Microelectronics STM32F373CCT6 CAN, I2C, IrDA, LIN, SPI, UART/USART, U 2...3.6В | ШТ | 5 | ||
| 86 | Диод TVS SMBJ24A-TR 5...600Вт 24В 16А | ШТ | 50 | ||
| 87 | Конденсатор электролитический Ecap 100/63 63В 100мкФ 14мм 8мм -40...+105град.С алюминий | ШТ | 10 | ||
| 88 | Микросхема Texas Instruments LM4132BMF-2.5/NOPB 2.9...5.5В 20мА | ШТ | 10 | ||
| 89 | Диод MURS240T3G 400В 35А 2А 175град.С | ШТ | 50 | ||
| 90 | Конденсатор VISHAY MAL203853102E3 6.3В 1000мкФ 11.5мм 8мм -40...+85град.С | ШТ | 30 | ||
| 91 | Резистор углеродистый CF-100 1.2Ом 5% -55...+155град.С | ШТ | 20 | ||
| 92 | Транзистор Toshiba 2SK2698 15А 500В N-канал 0.4Ом 4.6г | ШТ | 120 | ||
| 93 | Диод Шоттки MIC SS14 -65...+125град.С кремний 0.26г | ШТ | 10 | ||
| 94 | Транзистор Vishay IRFIBC30GPBF 2.5А 600В 35Вт | ШТ | 25 | ||
| 95 | Терморегулятор электронный ТЕРМ TL-11-250 двухканальный 220В -20...+40град.C на Din-рейку 70х90х65мм | ШТ | 1 | ||
| 96 | Предохранитель H520-2А/250В 250В 2А 5.2мм 20мм -60…85град.С стекло | ШТ | 50 | ||
| 97 | Конденсатор электролитический Ecap К50-35 400В 10мкФ 16мм 10мм -40...+105град.С алюминий | ШТ | 70 | ||
| 98 | Диод P6KE200A для подавления переходных скачков напряжения 600Вт 200В -55...+175град.С 0.6г | ШТ | 20 | ||
| 99 | Контроллер ШИМ TOP244YN 700В 60Вт -40…+150град.С 4г | ШТ | 55 | ||
| 100 | Резистор углеродистый CF-100 CF-1W-1R6J 1.6Ом +/-5% 1Вт -55…+155град.C | ШТ | 20 | ||
| 101 | Транзистор Vishay IRFPC60PBF 16А 600В 280Вт | ШТ | 20 | ||
| 102 | Транзистор PNP Nexperia BCP51-16 45В 1Вт 0.2г | ШТ | 20 | ||
| 103 | Транзистор P-Channel Infineon Technologies IRF4905PBF 55В 200Вт 2.68г | ШТ | 40 | ||
| 104 | Конденсатор электролитический Elite PJ2G121MNN1836 400В 120мкФ 35.5мм 18мм -25...+105град.C | ШТ | 50 | ||
| 105 | Предохранитель Siba 179020.0.25 250В 0.25А латунь 5х20мм | ШТ | 100 | ||
| 106 | Предохранитель Siba 179020.0.5 250В 0.5А латунь 5х20мм | ШТ | 100 | ||
| 107 | Транзистор Infineon Technologies SPW47N60C3FKSA1 47А 600В 415Вт Россия | ШТ | 6 | ||
| 108 | Предохранитель Siba 179021.3.15 250В 3.15А латунь 5х20мм | ШТ | 5 | ||
| 109 | Микросхема UC3843BNG 500мГц 8.2...25В 1А 0...70град.С | ШТ | 15 | ||
| 110 | Предохранитель Siba 179020.3.15 250В 3.15А латунь 5х20мм | ШТ | 60 | ||
| 111 | Микросхема MAX3232ESE RS-232 3.3...5В 120Кбит/с -40...+85град.С | ШТ | 10 | ||
| 112 | Транзистор ON Semiconductor MMBT3906LT1/D 0.2А 40В 0.3Вт биполярный 0.05г | ШТ | 5 | ||
| 113 | Конденсатор электролитический ECAP К50-35 16В 1000мкФ 17мм 10мм -40...+105град.С алюминий | ШТ | 100 | ||
| 114 | Конденсатор электролитический ECAP К50-35 400В 100мкФ 25мм 25мм -40...+105град.С алюминий | ШТ | 35 | ||
| 115 | Конденсатор электролитический ECAP К50-35 63В 220скФ 20мм 10мм -40...+105град.С алюминий | ШТ | 10 | ||
| 116 | Конденсатор электролитический ECAP К50-35 50В 47мкФ 11мм 6.3мм -40...+105град.С алюминий | ШТ | 20 | ||
| 117 | Конденсатор электролитический ECAP К50-35 400В 4.7мкФ 10мм -40...+105град.С алюминий | ШТ | 20 | ||
| 118 | Преобразователь DC/DC TRACO TMV 0515S 4.5...5.5.В -40...+85град.С 19.5х10.2х6.1мм | ШТ | 10 | ||
| 119 | Конденсатор электролитический ECAP К50-35 16В 2200мкФ 20мм 10мм -40...+105град.С алюминий | ШТ | 10 | ||
| 120 | Преобразователь напряжения AC/DC KAM0705 5В 1.5А 7.5Вт пластик 58x45x18.5мм | ШТ | 12 | ||
| 121 | Стабилитрон ON Semiconductor 1N5357BRLG 5Вт 20В 500нА 3Ом -65...+200град.C | ШТ | 5 | ||
| 122 | Конденсатор электролитический Teapo KSH336M400S1A5L25K 400В 33мкФ +/-20% -40...+105град.C алюминий | ШТ | 50 | ||
| 123 | Транзистор ST STP6NK90ZFP 5.8А 900В 30Вт 2 Ом -55...+150град.С 2г | ШТ | 10 | ||
| 124 | Транзистор MagnaChip MDF7N65BTH 7A 650В 42Вт -55...+150град.С | ШТ | 1 | ||
| 125 | Плата отладочная ST Microelectronics STM32 NUCLEO-F303RE Arduino 80г | ШТ | 2 | ||
| 126 | Конденсатор электролитический JB JRC1V681M05001300200000B 35В 680мкФ -40...+105град.C алюминий 13х20мм | ШТ | 50 | ||
| 127 | Резистор толстопленочный SMD 0805 RC0805JR-0756RL 0.56Ом +/-5% 0.125Вт -55…+125град.C | ШТ | 10 | ||
| 128 | Контроллер токовый Texas Instruments UC3846DWTR 6.95...40В 0...70град.C 0.8г | ШТ | 20 | ||
| 129 | Конденсатор электролитический JB ECAP К50-35 JNE2G221M10002500300 400В 220мкФ +/-20% -40...+105град.C алюминий 25x30мм | ШТ | 15 | ||
| 130 | Конденсатор электролитический Yageo SH035M1500B7F-1625 35В 1500мкФ +/-20% -40...+105град.C алюминий | ШТ | 80 | ||
| 131 | Конденсатор 0.22UFX50VY5V 50В 0.22мкФ +/-20% -25…+85град.C керамика | ШТ | 120 | ||
| 132 | Конденсатор электролитический EPCOS ECAP К50-35 B43504A2337M0 200В 330мкФ +/-20% -40...+105град.C алюминий 22x30мм | ШТ | 90 | ||
| 133 | Конденсатор электролитический Capxon LZ LOW ESR 10В 820мкФ -40...+105град.C алюминий 8х16мм | ШТ | 50 | ||
| 134 | Конденсатор электролитический JB ECAP К50-35 JRB1V102M05001300200000B 35В 1000мкФ +/-20% -40...+105град.C алюминий 13x20мм | ШТ | 150 | ||
| 135 | Конденсатор электролитический JB ECAP К50-35 JRB1V471M05001000170000B 35В 470мкФ +/-20% -40...+105град.C алюминий 10x17мм | ШТ | 95 | ||
| 136 | Конденсатор электролитический JB ECAP К50-35 JRB1V222M07501600250000B 35В 2200мкФ +/-20% -40...+105град.C алюминий 16x25мм | ШТ | 60 | ||
| 137 | Кнопка CHINT NP2-EA45 573780 220В 4.5А красная пластик на панель | ШТ | 2 | ||
| 138 | Конденсатор электролитический JB ECAP К50-35 JRB1C331M03500800120000B 16В 330мкФ +/-20% -40...+105град.C алюминий 8x12мм | ШТ | 95 | ||
| 139 | Конденсатор электролитический JB ECAP К50-35 JRB1V222M07501600250000B 35В 2200мкФ +/-20% -40...+105град.C алюминий 16х25мм | ШТ | 81 | ||
| 140 | Преобразователь Murata NME1205SC 1Вт 10.8...13.2В 5В 1000В 200мА 0.2А -40...+85г 1.4г | ШТ | 10 | ||
| 141 | Стабилизатор напряжения 35В 24В 0.1А -10...+70град.С черный пластик 1г | ШТ | 30 | ||
| 142 | Разъем плоский виброустойчивый ВРПИ-М 2.5-7-0.8 2.5мм2 синий латунь ПВХ 6.3x0.8мм 1.1г | ШТ | 20 | ||
| 143 | Микросхема Maxim Integrated DS1340Z-33+ 2.97...5.5В 150мА -40...+85град.С 0.15г | ШТ | 20 | ||
| 144 | Микросхема NCP1200D100G 60кГц 80% -25...+150град.С 0.15г | ШТ | 10 | ||
| 145 | Микросхема NCP1200D60R2G 60кГц 80% -25...+150град.С 0.15г | ШТ | 10 | ||
| 146 | Микросхема Texas Instrument UC2843AN 12...28В 97% -40...+85град.С 1г | ШТ | 10 | ||
| 147 | Кнопка CHINT NP2-EA35 573779 220В 4.5А зеленая пластик на панель | ШТ | 2 | ||
| 148 | Конденсатор электролитический EPCOS ECAP К50-35 B43509A9826M000 400В 82мкФ -40...+105град.C алюминий | ШТ | 10 | ||
| 149 | Резистор пленочный MO-200 MO-2W-7K5J 7.5кОм +/-5% 2Вт -55…+155град.C | ШТ | 50 | ||
| 150 | Микроконтроллер Atmel ATMEGA8-16PU | ШТ | 105 | ||
| 151 | Транзистор Vishay IRFBC40APBF 6.1А 600В 125Вт N-канал 2.5г | ШТ | 100 | ||
| 152 | Реле электромеханическое TIANBO HJR-3FF-S-ZF-12VDC 12В 10А DC -40...+85град.С 19.2х5.5х15.5мм 8.2г | ШТ | 30 | ||
| 153 | Диод Шоттки 50WQ10FNTR-M3 100В -40…+150град.C кремний 0.4г | ШТ | 20 | ||
| 154 | Диод DC ON Semiconductor Шоттки SS16 60В 1А -55…+150град.C 0.25г | ШТ | 10 | ||
| 155 | Реле TIANBO HJR-3FF-S-Z-24VDC 24В 7А 8.96г | ШТ | 10 | ||
| 156 | Транзистор Infineon Technologies IRG4PF50WDPBF 51А 6В 200Вт N-канал -55...+150град.С 7.5г | ШТ | 5 | ||
| 157 | Мост диодный DIODES KBJ408G 120А -65...+150град.С 19.3х25.2х9.7мм | ШТ | 70 | ||
| 158 | Транзистор ON Semiconductor Fairchild FQA11N90C_F109 11А 900В N-канал 6.5г | ШТ | 46 | ||
| 159 | Микроконтроллер Atmel Tmega8A-AU 16мГц 2.7...5.5В -40…+85град.С | ШТ | 10 | ||
| 160 | Диод защитный P6KE440A 600В 440В -55…+175град.C 0.6г | ШТ | 3 | ||
| 161 | Регулятор ST Microelectronics 3.3В 800мА 0.32г | ШТ | 30 | ||
| 162 | Преобразователь напряжения DC/DC Traco Power TMV 0512S 4.5...5.5В 1Вт -40...85град.C 2.1г | ШТ | 10 | ||
| 163 | Конденсатор Elzet CD294 400В 100мкФ до 105град.С 30мм 22мм | ШТ | 200 | ||
| 164 | Предохранитель Siba 179020.4 250В 4А 5мм 20мм стекло 0.9г | ШТ | 200 | ||
| 165 | Транзистор Toshiba Semiconductor 2SK4110 6А 600В 40Вт N-канал | ШТ | 30 | ||
| 166 | Конденсатор электролитический ECAP К50-35 35В 220мкф 8мм 5мм -55...+105град.С алюминий 1г | ШТ | 20 | ||
| 167 | Конденсатор электролитический ECAP К50-35 35В 10мкФ 7мм 5мм -40...+105град.С алюминий | ШТ | 130 | ||
| 168 | Конденсатор электролитический ECAP К50-35 16В 2200мкФ 20мм 13мм -40...+105град.С алюминий | ШТ | 60 | ||
| 169 | Конденсатор электролитический ECAP К50-35 35В 100мкФ 12мм 6.3мм -40...+105град.С алюминий | ШТ | 170 | ||
| 170 | Аппарат LLT ЭПРА-36-SLIM 4690612021447 36Вт 46...72В 1...55град.С IP40 45х119х28мм | ШТ | 5 | ||
| 171 | Резонатор HC-49S кварцевый 32.768 MHz | ШТ | 20 | ||
| 172 | Предохранитель Siba 179020.1 250В 1А латунь 5х20мм | ШТ | 100 | ||
| 173 | Стабилизатор напряжения напряжения ON Semiconductor 1N5355BRLG 5Вт 18В -65...200град.C 2.5Ом | ШТ | 10 | ||
| 174 | Транзистор ON Semiconductor NDF06N60ZG 7.1А 600в 35Вт N-канал -55...+150град.С | ШТ | 1 | ||
| 175 | Резистор пленочный MO-200 MO-2W-4K7J 4.7кОм +/-5% 2Вт -55…+155град.C | ШТ | 100 | ||
| 176 | Микросхема ST Microelectronics USB6B1 6В 500Вт -40…+85град.С | ШТ | 20 | ||
| 177 | Набор резисторов выводных Ekits EK-R24/2 10...91Ом 0.25Вт +/-5% 480шт | ШТ | 15 | ||
| 178 | Конденсатор электролитический Samwha RD1C687M10 -40...+105град.C алюминий | ШТ | 50 | ||
| 179 | Конденсатор электролитический EPCOS ECAP К50-35 B41858C4158M000 16В 1500мкФ +/-20% -40...+105град.C алюминий | ШТ | 100 | ||
| 180 | Предохранитель Радиодеталь ПК-30 250В 0.15А -60…+100град.C стекло 7х30мм 2г | ШТ | 50 | ||
| 181 | Реле электромагнитное Song Chuan 833H-1C-C 12В постоянный 7А 400 Ом -40...+85град.С 6г | ШТ | 5 | ||
| 182 | Микроконтроллер Atmel ATmega8L-8AU 8кбайт 2.7...5.5В -40...+85град.С 1.2г | ШТ | 20 | ||
| 183 | Микроконтроллер Microchip ATmega644PA-AU 64кбайт 1.8...5.5В -40...+85град.С 1.4г | ШТ | 20 | ||
| 184 | Микросхема Texas Instruments SN74LVC1G08DBVR 1.65...5.5В -40…+125град.С 0.08г | ШТ | 50 | ||
| 185 | Микросхема RENESAS Electronics ICL7106CPLZ lcd-port 0...70град.С 12г | ШТ | 3 | ||
| 186 | Диод выпрямительный Vishay US1J-E3/61T 600В 1.7В 1А | ШТ | 30 | ||
| 187 | Резистор углеродистый CF-100 1Ом 5% -55...+155град.С | ШТ | 20 | ||
| 188 | Микросхема ST Microelectronics 3843BD1013TR 500кГц 1шт 8.2...25В 0.2г | ШТ | 35 | ||
| 189 | Предохранитель H-520 250В 5А 5мм 20мм стекло | ШТ | 10 | ||
| 190 |
Источник тендера:
только для подписчиков »
Источник тендера:
только для подписчиков »
Другие тендеры за этот временной период
Изготовление и поставка рекламно-полиграфической продукцию с фирменной символикойПоставка подшипников 6317
8209-22МЗП_279519_Закупка сантехнических изделий, материалов и аксессуаров
Оказание услуг по обязательному психиатрическому освидетельствованию работников филиала ООО «РН-ГРП» в г. Нефтеюганске в 2022-2023 г.
Стеллаж металический для хранения УЭЦН АО "Тюменнефтегаз".
Ремонт подъездной автомобильной дороги (грунтовой) к п. Сехнерка Буинского сельского поселения Ибресинского района Чувашской Республики
